为了保证加工精度，净化过程中对温度波动范围的要求越来越小。例如，在大规模集成电路的光刻曝光过程中，掩模材料与玻璃和硅之间的热膨胀系数差异越来越小。直径为 100 微米的硅晶片，温度升高到一定程度，铝材就会引起 0.24um 的线性膨胀，因此必须有一个稳定的温度在±0.1 度，而需要的湿度值一般较低，因为人汗后的产品会受到污染，尤其是害怕钠半导体厂，这家工厂的湿度应该不会超过 25 度。 高湿度会产生更多的问题。当相对湿度超过 55%时，冷凝管内壁会凝结，如果有一个准确的设备或电路，可能会引起各种事故。相对湿度在 50%时防锈。此外，高湿度的空气中时，水会通过在晶片表面粘附分子化学吸附在表面上的灰尘电阻难以去除。相对湿度越高，附着除去，如果相对湿度低于 30%时，很容易吸附在粒子表面上的静电的影响的难度，同时很多容易发生击穿的半导体器材。对于晶圆生产 35-45%的最佳温度范围内。 在净化铝材室中要求的压力： 对于大多数的洁净室中，为了避免从外界污染，需要保持内部压力（静压）高于外界的压力（静压）。要保持压力差应符合下列一般准则： 1. 干净的空间压力高于非洁净空间的压力。 2. 高水平的清洁高于相邻的空间中的压力水平低的洁净度的空间中的压力。 3. 类似之处洁净室的开门，高水平的房间的清洁度。 依赖于新鲜的空气，保持的压力差，新鲜空气可以从该间隙泄漏出风的压力差，以补偿。
